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產(chǎn)品中心
產(chǎn)品詳情

  • 產(chǎn)品名稱：Ossila材料M151-500mg

  • 產(chǎn)品型號：
  • 產(chǎn)品廠商：Ossila
  • 產(chǎn)品文檔： TIPS-Pentacene
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簡單介紹：
Ossila經(jīng)銷商、原裝進(jìn)口、質(zhì)量保證、更多產(chǎn)品問題請聯(lián)系我司銷售。
詳情介紹：

Experimental

OFET device specifications

This table shows details of the substrates used in this fabrication routine.

Substrates Ossila silicon/silicon dioxide substrates (S146)
Substrate size 20 x 15 mm
Gate conductivity 1-30 Ω·cm (Boron doped)
Silicon oxide thickness 300 nm
Device per substrates Five, common gate
Channel length 30 μm
Channel width 1000 μm
OFET architecture Top contact, bottom gate
Source-Drain patterning Thermal evaporation using Source-Drain Deposition Mask for Low Density OFETs


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